N76E003 flash模拟EEPROM例程

发表于 2018-5-29 08:32:19

楼主你好啊，请问为什么我用你的例程调试，写入成功了，（我用ICP工具读取片上数据查看过，对应的地址的数据是正确写入了），但是读取就错误了，读出来有数据，但是数据是错的，这个会是什么原因导致？

jamesliu · 发表于 2018-5-11 09:18:31

游客 61.190.18.x 发表于 2018-5-10 10:08
我使用你的例程，先写后读是正确的，如果屏蔽写入，只是读，数据都是ff，不知道为什么 ...

那是你在下载代码时选择了芯片flash数据全部擦除，把上次写的数据给擦了。到options utilities setting 中选择erase used sectors

发表于 2018-5-10 10:08:52

我使用你的例程，先写后读是正确的，如果屏蔽写入，只是读，数据都是ff，不知道为什么

jamesliu · 发表于 2018-4-8 18:02:03

可能你使能BOD功能，而在写flash时VDD电压低于BOD的电压，就会出现写入失败。
那就要在写flash前将BOD关闭了才行

发表于 2018-4-7 11:37:11

为什么我试验在003里面不好用呢仿真就死在里面了

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