nm1120程序驱动高压bldc电机，下载器怎么配置好

写FLASH， 请参考BSP中的代码，写之前要检测VDD, 电压低就不要写了，VDD 还要加大电容，防止刚检测完VDD不低，就开始写FLASH, 然后没电了，数据就乱了。

可以用BOD 中断，但是，硬件上必须有大电容，如果有耗电较大的元件与MCU 共用电源，还要接一个二极管。如果写FLASH 中间过程，掉电了，电容里的电足以维持到写完FLASH。

FLASH 页擦除启动后，代码执行停住，等20ms 后CPU才会继续执行代码。

启动擦除前检测VCC不低，但是刚启动 FLASH 擦除就掉电了，这时只能依靠电容里的电，维持MCU 工作，所以这个电容要加大。


如果VCC 上还并联着一个耗电很大的电路，可能1000uF电容，也是掉电后不到20ms 没电了。这时该怎么办呢？  这个问题留给你思考，办法有多种。

liyuloveyou 发表于 2023-3-23 16:39
FLASH 页擦除启动后，代码执行停住，等20ms 后CPU才会继续执行代码。

一旦启动flash页擦除 我的程序代 ...

这是FLASH 的特性，哪个公司的芯片都一样。擦除一个扇区需要几十毫秒，这期间不能读出数据。

这个时候如果UART来数据了，UART能接收，若UART 中断代码在FLASH 中，无法执行，如果UART 速率又很快，连续发过来数据，缓存满了就会丢数据。如果UART 中断代码在RAM 中，则可以执行中断代码读出数据。

liyuloveyou 发表于 2023-3-27 08:37
在读 写 擦除 date flash的时候  我要关闭所有中断吗？

不需要关中断。

擦写FLSAH时，

如果代码在FLASH 里执行，CPU无法取指令，代码执行停止。中断也不例外。

如果代码在RAM 中执行，CPU 可以取指令，仍可以执行代码，有中断能正常执行，但是中断向量表也要放RAM中。