N9H26上电后串口显示DRAM initial fail

串口表示IBR calibration DRAM fail （1f1f1f1f1f1f表示fail,2p表示pass）

1、如果每一次上电都会fail，与电压的相关性比较大

内部的DRAM由memoryVDD提供电压，首先需要确认MVDD电压的准确性和稳定性

（在大电流时电压能维持，在温度变化时电压能保持稳定）

2、确认烧录时使用的TurboWriter和当前的IC版本一致

3、如果出现了温度的相关性，比如运行一段时间容易fail，可能与内部memory的特性有关。 解決方式IBR 跑低頻. 到Loader 跳高頻. 中间需要通过 Turbo-Writer来调解DRAM的参数，可以与软件工程师联系获取与之相对应的turboWriter.ini和loader部分的程序，更新后再测试，此时DRAM出现1f1f1f的信息可以忽略。

4、确认reset电路RC参数匹配，reset上电时间不能过缓过长，上电过程中的不确定性，会导致power on setting认错或者其他错误

5、芯片IO的引脚不能早于芯片电源给电，这样会造成上电从中间电平而不是零电平开始